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Shindengen
Shindengen(新电元工业株式会),1949年在日本成立,主要从事功率半导体和电装制品、新能源充电桩的制造和销售。公司旗下的桥堆、二极管等分立器件产品的市场占有率稳居世界前列,在日本国内占95%的市场份额,其整流桥在全世界占有接近40%的市场份额,素有“桥王”之称!近年来,在汽车电子领域,新电元的车规级二极管、MOS以及模块、TVS等产品,被广泛应用,市场占有率越来越高。
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准共振电源IC(MS系列)
驱动增幅IC(MCZ系列)
启动IC(MCZ系列)
LLC电流共振电源IC(MCZ系列)
LED照明控制IC(MV系列)
功率模块-逆变器模块系列
功率模块-整流制动模块系列
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TVS(突波保护用功率齐纳二极管)-功率钳位管
TVS(突波保护用功率齐纳二极管)-TVS
浪涌吸收器-压敏电阻
浪涌吸收器-突波保护器件
触发管-双向可控硅
触发管-单向型(G1V系列)
触发管-双向型(K1V系列)
可控硅
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桥式整流二极管
普通整流二极管
汽车电子
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汽车安全
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车身电子装置和照明
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底盘,安全&ADAS
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商用、工程和农用车辆(CAV)
○
电动驱动系
○
低压电动车(LEV)
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信息娱乐系统
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动力总成
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燃料电池传动系统
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电动汽车热管理
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面向摩托车、电动自行车和小型电动车
工业电子
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电动汽车快速充电
○
工业自动化
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工业驱动
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LED照明
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便携式发电机
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输配电
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牵引
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储能系统
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电池化成
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高压固态配电
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工业空调
○
商用、工程和农用车辆(CAV)
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状态监控与预知性维护
○
不间断电源(UPS)
云服务
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蜂窝通信基础设施
○
计算和数据存储
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边缘计算
Infineon announces StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V portfolio for mass market applications
2024-9-10
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英飞凌推出全新边缘AI评估套件,利用微控制器、连接、AI和传感器产品组合加速ML应用开发
2024-8-30
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英飞凌推出八款新品,包括用于汽车应用的AIROC™ CYW89829低功耗蓝牙MCU,扩展了其蓝牙产品组合
2024-8-20
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纬湃科技采用英飞凌CoolGaN™晶体管,打造功率密度领先的DC-DC转换器
2024-8-16
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英飞凌推出全新CoolGaN™ Drive产品系列,包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥
2024-8-14
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英飞凌携手联发科推出创新智能座舱解决方案,为智慧交通提供经济的车载信息娱乐解决方案
2024-8-5
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英飞凌与Swoboda合作开发电动汽车高性能电流传感器
2024-7-25
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新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率
2024-6-18
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英飞凌推出适用于汽车电池管理系统的PSoC™ 4 HVPA-144K微控制器
2024-6-11
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英飞凌携手ETAS利用ESCRYPT CycurHSM提升新一代AURIX™微控制器的安全性
2024-05-13
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英飞凌推出新型MOTIX™电机栅极驱动器IC,轻松从12 V系统迁移至48 V系统,并充分满足功能安全要求
2024-05-10
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英飞凌推出可编程高压PSoC™ 4 HVMS系列,适用于触控式HMI等智能传感应用,进一步拓展汽车产品线
2024-05-9
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英飞凌通过HighTec的ISO 26262 ASIL D认证Rust编译器等解决方案扩大AURIX™ Rust生态系统
2024-05-9
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英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™ 7
2024-4-15
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英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装,为现代汽车应用提供更高效率
2024-4-12
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英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
2024-03-14
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英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
2024-03-14
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英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
2024-03-13
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英飞凌推出新型固态隔离器,交换速度更快,功耗降低高达70%
2024-03-11
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英飞凌推出PSoC™ 车规级4100S Max系列,支持性能更强大的第五代CAPSENSE™技术
2024-03-08
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英飞凌推出带有集成温度传感器的全新 CoolMOS S7T
2023-12-19
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英飞凌推出业界首款 USB 10Gbps 外设控制器EZ-USB™ FX10
2023-12-6
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英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度
2023-11-29
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智能开关家族系列Power PROFET™ + 12V为汽车应用提供超低电阻开关,助力实现现代化配电架构
2023-08-23
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英飞凌全新ISOFACE™数字隔离器产品组合可实现稳健的高压隔离、出色的效率和领先的抗噪能力
2023-07-06
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英飞凌发布ModusToolbox™ 3.1,全新增强特性与功能将加速嵌入式开发
2023-07-06
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英飞凌HYPERRAM™ 3.0存储芯片与Autotalks第三代芯片组搭配,共同赋能新一代汽车V2X应用
2023-07-06
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Infineon | 英飞凌储存器解决方案线上技术论坛 - 2024年10月25日
2024-10-11
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Infineon | 英飞凌汽车业务有奖问卷
2024-09-20
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Infineon | IPAC直播间:CoolSiC™碳化硅直播季第三弹
2024-08-02
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Infineon | 直播报名:功率半导体在制氢电能转换的革新解决方案
2024-07-19
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Infineon | 2024英飞凌宽禁带论坛,直播火热报名中
2024-07-04
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Infineon | IPAC直播间:CoolSiC™碳化硅直播季 高压碳化硅的应用设计
2024-06-25
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共同推进汽车产业发展,英飞凌科技首席营销官伍安德拜访双赢彩票
2024-05-08
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IInfineon | IPAC直播间:英飞凌CoolSiC™ 碳化硅直播季 - 迎接碳化硅2000V时代
2024-05-08
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Infineon | 线上直播,深度解析英飞凌储能系统
2024-04-10
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Infineon | “tech for”上海站3月20日 | 从水泥丛林到绿色宜都:科技赋能超级都市可持续发展
2024-03-19
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Infineon | IPAC 直播间,市场的“热饽饽”, 英飞凌中压系列IGBT7模块有多香?
2024-03-19
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Infineon | 抽免费开发板,英飞凌AURIX™ TC3xx车规级单片机和典型模块技巧及运用CAN-FD、SMU、ADC
2024-03-14
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Infineon | 从数据中心到智算中心,“沸腾时代”的碳焦虑这样解决
2024-03-07
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芯能效·智未来巡回研讨会邀请函
2023-12-23
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直播注册开启 | 2023 英飞凌OktoberTech™生态创新峰会
2023-10-17
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英飞凌开发者社区平台中文版本上线,立即提问!
2023-10-17
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直播 | 英飞凌MEMS传感器大显身手
2023-09-15
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欢迎来到英飞凌开发者社区
下方为各产品类别的精选论坛,您可以点击进入发现跟多论坛资讯。
您也可以加入英飞凌官方论坛,在论坛中您可以提出各项产品的相关问题,与英飞凌全球技术顾问一起讨论并获得答案。
Power MOSFET
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○
SIC MOSFET 损耗计算
○
深入剖析高速SiC MOSFET的开关行为
○
SiC Mosfet for Soft switch Inverter topology
○
Body MOSFET driver: Benefit of watchdog in TLE9210x family (KA-03147)
○
MOSFET ESD Ratings
○
DC motor system IC TLE9560/61/62 - Why are the setting of charge and discharge currents of the freewheeling and active MOSFETs different?
○
BLDC Motor system IC TLE9563/TLE9564- Why are the setting of charge and discharge currents of the freewheeling and active MOSFETs different?
○
MOSFET Switching Losses
○
Parallel connection of SiC MOSFETS
○
Power MOSFET - FAQs
○
XDPS2221 About Asymmetrical Half-Bridge, Hybird Flyback Question
○
为什氮化镓(GaN)充电器可以做到更小
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IGBT
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○
IGBT short circuit fault troubleshooting
○
IGBT应用在直流低压大电流
○
IR2113, IGBT, Dead time lose
○
IGBT Reverse breakdown voltage
○
Infenion IGBT book
○
Tips for working with the Infineon datasheet for discrete IGBTs
○
How to map the nominal ratings of IGBTs and SiC MOSFETs
○
如何手动计算IGBT的损耗
○
EiceDRIVER™ gate driver IC: Dual and single channel isolated solution to drive high-side switch in half bridge configuration- KBA236402
○
Viso test of IGBT modules (KA-00565)
○
RC-H6 650 V Reverse Conducting IGBT
○
IGBT Discretes for HVAC e-Compressor systems in e-Mobility
○
Reducing paralleling with 75A 1200V IGBT
○
IGBTs: Loss calculation in an SPWM voltage source converter topology based on Infineon IGBT
○
Calculate IGBT losses for a SPWM voltage source converter – KBA236568
○
IGBTs: Loss calculation and junction temperature estimation for an SPWM voltage source converter
○
Efficiency plus when switching from TO-247 3pin to TO-247PLUS 3pin/4pin (KA-02355)
○
英飞凌IGBT器件导通电阻的温度系数特性
○
IGBT的反向阻断电压
○
Temperature Coefficient Characteristics of On-Resistance of IGBT Devices
○
What are the main benefits of TRENCHSTOP™ 5 S5? (KA-02365)
○
IGBT Reverse breakdown voltage
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Silicon Carbide (SiC)
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○
Si to SiC: How to know when it’s time to switch
○
Introduction to Infineon 650V CoolSiC™MOSFE
○
Pspice model for FS45MR12W1M1_B11 (Silicon Carbide MOSFET module)
○
Role of SiC in upcoming EV industry
○
SiC device design philosophy – overcoming the challenges
○
Choose a gate driver for your silicon carbide MOSFET in a few steps
○
How the reliability of Silicon Carbide based devices is controlled
○
How to map the nominal ratings of IGBTs and SiC MOSFETs
○
How to choose gate driver for SiC MOSFETs and SiC MOSFET modules
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Motor Control & Gate Driver Ics
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○
EiceDRIVER™ gate driver IC 1EDI302xAS / 1EDI303xAS: Ease of use (KA-03359)
○
IR2117 high side gate driver for IGBT with long "ON" time requirement
○
Gate Driver Peak Current
○
EiceDRIVER™ gate driver IC: How to drive the high-side switch in half-bridge configuration - KBA236394
○
EiceDRIVER™ gate driver IC: Dual and single channel isolated solution to drive high-side switch in half bridge configuration- KBA236402
○
Gate driver IC IR2010
○
Gate driver IC for FF600R17ME4P
○
Gate Driver IC 1EDI60H12AH
○
EiceDRIVER™ gate driver IC: Non- isolated solution to drive high-side power supply in half bridge configuration- KBA236398
○
EiceDRIVER gate driver IC: How to drive the high-side switch in half-bridge configuration - KBA236394
○
Infineon Gate driver IC Information
○
Gate driver IC FAQ
○
Community translation -EiceDRIVER™ gate driver IC 1EDI302xAS / 1EDI303xAS: Ease of use (KA-03359)
○
Gate Driver IC for H6.5 circuit
○
EiceDRIVER gate driver IC: How to drive high side switch in half-bridge configuration – KBA236410
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DC-DC Converter
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○
MOSFET for the DC-DC Converter
○
QR Flyback Converter for DC-DC buck action
○
galvanically-isolated DC/DC converter
○
Isolated DC-DC converter
Microcontrollers
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○
How to program microcontrollers
○
Connecting GUI with microcontroller
○
How to program an XMC microcontroller
○
Microcontroller selection and development kit support
○
Microcontroller TLE9879QXA40
○
AURIX™ TC3xx communication interfaces
Smart Low-Side & High-Side Switches
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○
Community Translations - What are some PROFET™ Focus applications? (KA-01481)
○
SPIDER+ more than a relay drive
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Infineon’s 12 V high-side switches based on SMART7 technology
Sensors
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○
Hall sensor with high temperature operating range -55 °C to >+125 °C
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CapSense Guard Sensor Layout
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TLV493D-A1B6 Sensor Drifts
Security & smart card solutions
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OPTIGA™ Trust M IoT Security Development Kit – The easiest way to develop end-to-end security use cases for IoT devices
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Need for Hardware Security
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Any security chip suppprt Chinese commercial cryptography algorithm?
Solid State Relay
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Which applications fit CoolMOS™ S7? (KA-03173)
AC-DC Power Conversion
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XDPS2221 About Asymmetrical Half-Bridge, Hybird Flyback Question
英飞凌提供沉浸式设计生态系统,提供最佳开发人员体验,创造解决方案,让生活更轻松、更安全、更环保。
嵌入式软件
仿真与建模
评估板和工具包
支持、社区、伙伴
开发工具
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汽车电子
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英飞凌EiceDRIVER™ F3产品家族详解!
使用OptiMOS™6功率MOSFET将您的设计提升到系统效率的新水平
英飞凌 | 玩转MCU新品PSoC™ 4100S Max系列
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工业电子
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一点就通!关于触摸感应的那些事
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英飞凌IPAC碳化硅季 | 好马要有好鞍配——详解SiC驱动和并联的关键技术
英飞凌 | 新一代工业MCU - XMC7000系列开箱!
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